ASHING(灰化)是一种利用等离子体将光刻胶(Photoresist)去除的干法工艺。光刻和刻蚀(Etching)之后,晶圆表面会残留光刻胶,需要通过灰化去除干净,以确保后续制程不被污染。
气体名称 | 化学式 | 作用说明 |
---|---|---|
氧气 | O₂ | 最常用,氧化光刻胶有机物生成气体 |
臭氧 | O₃ | 氧化能力更强,可用于低温处理 |
三氟甲烷 | CHF₃ | 控制选择性、可能形成聚合层辅助或抑制反应 |
氩气 | Ar | 提供等离子体能量、物理轰击作用 |
氮气 | N₂ | 控制反应气氛,抑制过度氧化 |
氢气 | H₂ | 有时用于调整反应速率和选择性 |
以氧气等离子体(O₂ plasma)为主的灰化反应如下:
光刻胶中的有机物(碳氢聚合物)被氧自由基氧化为挥发性气体:
CxHy + O* → CO↑ + CO₂↑ + H₂O↑
会形成 CFx 自由基,可改变表面反应特性,但也可能沉积聚合层,抑制或保护特定区域。
光刻胶种类(正胶、负胶、厚胶等)影响灰化效率。
过度灰化可能损伤底层薄膜(如 Low-k 材料、氧化层)。
工艺参数如功率、压力、气体比例需严格控制。